我们可以把它理解为夺走一个原子的最外层电子的难易程度。
接下来你就要了解原子核外的电子排布了。当原子处于基态（稳定状态）时，核外电子
排布是遵循能量最低原理的。
根据电子出现最大概率区域离核的远近，用电子层
描述，取值1（K），2（L），3（M），…，n层。一般，离核越近的电子有较低的能量，即层数越大，能量越大。
同一能层中，又有亚层。可用l描述电子在空间角度分布情况，对于一定的n，l只能是小于n的正整数。简单一点说，n层就有n个亚层，l=0，1，2，…，n-1，相应的电子称为s，p，d，f，…电子，其能量依次增高。
两种作用叠加，有以下排布次序：
另外，等价轨道在电子全充满（p6，d10，f14）、半充满（p3，d5，f7）、全空（p0，d0，f0）状态时是比较稳定的。
故，你可以写出所有元素原子电子排布式。
显然，对于电子层数相同的C、N、O，夺走N(半充满)的一个电子更难，得C＜O＜N；显然，对于C、H，C＜H；
对于O、H，解释无能，可通过计算得。H:13.eV
O:13.eV
关于第一电离能的比较，可继续了解屏蔽和钻穿效应。
屏蔽效应是某选定电子受到其他电子的排斥作用，最终抵消部分原有核电荷
的效应。
钻穿效应相反，是外层电子渗入内部空间，受到核的吸引而靠近核，更多地避免其他电子屏蔽的效应。
比如，n数值相同，l越大，屏蔽效应越强，钻穿效应越弱，电子能量越大。
2、电离能比较规律3、电离能数据图示预览时标签不可点收录于话题#个上一篇下一篇